一种半导体激光器制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110950473.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113913743B | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN113913743B | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | C23C14/04（2006.01）I;C23C14/14（2006.01）I;C23C14/30（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;H01S5/024（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 李鸿建;郭娟 | 申请（专利权）人 | 武汉云岭光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 430223湖北省武汉市东湖新技术开发区长城园路2号武汉澳新科技1号厂房102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明及光通信激光器技术领域，提供了一种半导体激光器制备方法，包括如下步骤：S1，制作具有沟槽的特殊陪条；S2，采用所述特殊陪条的沟槽遮挡激光器的前后腔面出光区域；S3，待遮挡完毕后对前后腔面采用电子束金属蒸发或溅射工艺，使得前后腔面的非出光区域镀金。本发明的一种半导体激光器制备方法，通过选择性镀金的方式，在激光器的前后腔面均镀金，可将腔面产生的热量传导掉，能有效减少由于腔面温度持续升高而导致的光学损伤，提高激光器的使用寿命和稳定性。 |
