惯性微机电传感器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201010608170.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102530832B | 公开（公告）日 | 2014-06-18 |
| 申请公布号 | CN102530832B | 申请公布日 | 2014-06-18 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 毛剑宏;唐德明 | 申请（专利权）人 | 海门天眼光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司;海门天眼光电科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种惯性微机电传感器及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介质层；在所述层间介质层内形成空腔；在所述空腔外部的层间介质层内形成固定件和驱动电极，所述驱动电极与所述固定件电学绝缘；在所述空腔内形成质量块，所述质量块与所述固定件电连接，且所述质量块能够与所述驱动电极进行相对运动。本发明将微机传感器与CMOS工艺集成，且提高了微机电传感器的质量块的质量和惯性，提高了微机电传感器防噪声干扰的能力。 |
