一种制备抗硫化厚膜晶片电阻的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111247237.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113972045A | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN113972045A | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | H01C17/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 贾碧溪;帅晓晴;田空圣;朱其乐;李国武;洪志斌 | 申请（专利权）人 | 江西昶龙科技有限公司 |
| 代理机构 | 南昌中擎知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈海涛 |
| 地址 | 332000江西省九江市柴桑区沙城工业园（九江庆辉实业有限公司内） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种制备抗硫化厚膜晶片电阻的方法，涉及厚膜晶片电阻领域，方法具体为：预先在绝缘板上涂覆一层三防漆，制得基板，将抗硫化导电浆料和电阻浆料通过掩膜涂覆在基板上，再经烧结在基板上形成电极层和电阻层，继续在电极层和电阻层之间涂覆保护涂料，干燥形成包覆层，制得晶片电阻；所述保护涂料包括以质量份数计的原料：灌封硅胶40‑89份、改性导热填料5‑20份和阻燃剂1‑20份；所述改性导热填料为小粒径导热填料与大粒径导热填料组成。本发明通过预先在绝缘板上涂覆一层三防漆，能够防止在高温高湿、电场力的作用下的银迁移，避免线路之间短路。 |
