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一种铝选择性腐蚀的高压快速软恢复二极管及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110955724.1 申请日 -
公开（公告）号 CN113745348A 公开（公告）日 2021-12-03
申请公布号 CN113745348A 申请公布日 2021-12-03
分类号 H01L29/861（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张磊;范晓波;王旭梅;张博炎;王铭扬;王智远;刘世辉;刘航辉 申请（专利权）人 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
代理机构 西安文盛专利代理有限公司 代理人 彭冬英
地址 710077陕西省西安市高新区锦业二路13号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种铝选择性腐蚀的高压快速软恢复二极管及其制备方法，一种铝选择性腐蚀的高压快速软恢复二极管，从上往下依次设置有阳极AL层、阳极高浓度P区和低浓度P区、低浓度漂移N区、高浓度阴极N区和阴极AL层；所述的阳极区由有源P区和终端P区构成，其中阳极AL层设置在腐蚀槽上方；所述的腐蚀槽设置在阳极有源区。本发明还公开了该种高压快速软恢复二极管的制备方法。本发明的结构，减小了正向导通压降，浪涌电流能力和反向恢复软度因子明显提高，在正向导通和反向恢复特性之间获得更好折中。