一种双向精准击穿防爆晶闸管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210118203.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114361255A | 公开（公告）日 | 2022-04-15 |
| 申请公布号 | CN114361255A | 申请公布日 | 2022-04-15 |
| 分类号 | H01L29/74（2006.01）I;H01L29/167（2006.01）I;H01L21/332（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任成林;郭永忠;张磊;周竞宇;胡雨龙;范晓波;张歧宁;张刚琦;张猛 | 申请（专利权）人 | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安文盛专利代理有限公司 | 代理人 | 彭冬英 |
| 地址 | 710077陕西省西安市高新区锦业二路13号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种双向精准击穿防爆晶闸管及其制备方法，所述的双向晶闸管分为A管和B管，其反向并联对称，A管阳极对应B管阴极，A管阴极对应B管阳极，A管和B管通过高阻P‑区实现隔离。A管从上往下，对应的B管为从下往上，依次设置阴极侧铝层，包括中心门极铝层、放大门极铝层以及阴极铝层，中心门极P+区和阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极高浓度P+区和阳极铝层。本发明晶闸管，在阳极P‑区与P+区之间，靠近中心线内置了较高浓度的内置N+区，寄生了PNP晶体管，其N‑基区设计为电场穿通型，可以实现双向晶闸管的防爆和精准击穿功能。主要应用于柔性直流输电系统中，保护并联的IGBT器件。 |
