感应耦合等离子体深层刻蚀机专利查询专利号|摘要-满商公司网

感应耦合等离子体深层刻蚀机

基本信息

申请号	CN02267105.6	申请日	-
公开（公告）号	CN2569339Y	公开（公告）日	2003-08-27
申请公布号	CN2569339Y	申请公布日	2003-08-27
分类号	H01L21/3065;B81C5/00	分类	基本电气元件;
发明人	陈绍金;陈元棣	申请（专利权）人	上海花木经济发展总公司
代理机构	上海浦东良风专利代理有限责任公司	代理人	陈志良
地址	201204上海市浦东新区牡丹路185号
法律状态	-

摘要

本实用新型为一种感应耦合等离子体深层刻蚀机，包括主机、射频电源柜、电控柜、计算机及操作台，其特征在于：主机结构核心部件等离子体源，它是由平面变距螺旋形电感线圈与石英介质窗组成一体，当中填充石英粉末和环氧树脂，放置在源的顶部，顶面还有真空室壁，耦合效率高，等离体密度均匀性好，工作压强降到0.06Pa，仍有很高的离化效率，石英介质窗下面安装环形气体流量分配器和高密度等离子体工作室，工作室为圆桶形结构，侧壁为接插式结构，工作室壁周围布有多极场磁铁和极靴组成的多极磁场，通循环水冷却的工件台置于工作室下游，工件台面上安装被加工的晶片，主要用于加工微型机电系统器件，刻蚀有效直径6英寸，具有刻蚀速度快、选择性好、刻蚀均匀，线条边壁陡直，深宽比高，完全满足加工微型机电系统器件的刻蚀工艺需要。