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一种发光二极管及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010211462.3 申请日 -
公开（公告）号 CN111446335B 公开（公告）日 2021-12-14
申请公布号 CN111446335B 申请公布日 2021-12-14
分类号 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 孟虎 申请（专利权）人 北京京东方技术开发有限公司
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 代理人 刘红彬
地址 100015北京市朝阳区酒仙桥路10号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及显示技术领域，公开了一种发光二极管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成阵列分布的发光二极管单元，沿背离衬底的方向，每个发光二极管单元包括缓冲层、n‑GaN层、MQW层以及p‑GaN层；在发光二极管单元上形成第一金属层，且通过构图工艺将第一金属层图案化，形成第一金属图案；以第一金属图案为掩膜，在p‑GaN层部分区域内形成侧壁限制结构。本发明提供的发光二极管制备方法制备的发光二极管在p‑GaN层内局部位置形成侧壁限制结构，侧壁限制结构可以抑制侧壁效应。上述发光二极管制备方法不仅可以在大尺寸发光二极管实现小电流注入、避免侧壁效应，而且该制备方法可与现有半导体工艺兼容。