一种磷化铟单晶的生长装置及生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202110870551.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113774489A | 公开（公告）日 | 2021-12-10 |
| 申请公布号 | CN113774489A | 申请公布日 | 2021-12-10 |
| 分类号 | C30B29/40（2006.01）I;C30B13/14（2006.01）I;C30B13/28（2006.01）I;C30B13/32（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 庞昊;谢雨凌 | 申请（专利权）人 | 合肥天曜新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 吴桑 |
| 地址 | 230000安徽省合肥市经开区芙蓉路合肥海恒投资控股集团公司3#-B厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及晶体生长技术领域，特别涉及一种磷化铟单晶的生长装置，包括固定加热器、移动加热器、晶体生长容器和电磁搅拌装置，所述移动加热器和电磁搅拌装置可在晶体生长容器外移动。本发明还提供一种磷化铟单晶的生长方法，通过将原料放入到晶体生长容器中并加热到750℃，然后通过移动加热器加热到1075℃，移动移动加热器和电磁搅拌装置至其铅垂面离开晶体生长容器，保温并待炉温降至室温。本发明降低了Si污染，制得的单晶纯度高；采用移动加热器的方法，避免移动晶体生长容器可能引起的振动，能有效提高单晶率；通过双加热器的相对移动实现温场的移动，温场控制相对简单，控温精度容错率高，便于维护和校准。 |
