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一种生长CZT单晶锭的方法

基本信息

申请号	CN202110453520.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113512762A	公开（公告）日	2021-10-19
申请公布号	CN113512762A	申请公布日	2021-10-19
分类号	C30B29/48（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I;C04B41/85（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	庞昊;谢雨凌	申请（专利权）人	合肥天曜新材料科技有限公司
代理机构	合肥正则元起专利代理事务所（普通合伙）	代理人	刘勇
地址	230000安徽省合肥市经济技术开发区芙蓉路北芙蓉路合肥海恒投资控股集团公司3#-B厂房
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种生长CZT单晶锭的方法，属于半导体材料制造工艺技术领域，该种生长CZT单晶锭的方法，包括以下步骤：步骤A、将无定形无定形三氧化二硼和微米级石墨粉质量比混合形成混合浆料；步骤B、将混合浆料以刷浆法或脉冲电弧放电沉积法均匀涂覆在热解氮化硼坩埚内壁上；步骤C、将碲化锌多晶体合成料置于热解氮化硼坩埚内放肩区，并在籽晶区放入籽晶，然后将热解氮化硼坩埚放入石英容器内，加热熔融、冷却、CZT单晶锭生长，生长完成后获得一种CZT单晶锭。且本发明将无定形三氧化二硼和石墨粉混合形成混合浆料涂覆在热解氮化硼坩埚内壁上，使得生长平面和切割面的夹角小于4°，减小CZT衬底片上不同区域的Zn元素含量波动。