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一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法

基本信息

申请号 CN201010587174.4 申请日 -
公开（公告）号 CN102148293B 公开（公告）日 2012-10-10
申请公布号 CN102148293B 申请公布日 2012-10-10
分类号 H01L31/20(2006.01)I;B23K26/36(2006.01)I;G01R31/36(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张亚萍;张鑫 申请（专利权）人 天津市津能电池科技有限公司
代理机构 天津盛理知识产权代理有限公司 代理人 王来佳
地址 300384 天津市南开区华苑产业园区梓苑路20号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法，修复方法是：首先对子电池按所测电压进行分档，每0.5V为一档；打开稳压电源，将稳压源正负接头分别置于子电池电压最小值处，正负表笔与电池正负极相反，调节稳压电压，施加电压范围3-6V。本发明在装有稳定光源的平台上通过测试其光照下的子电池开路电压确定激光刻划效果，按不同的刻划程度进行采用两种方法分别进行修复，该修复方法更有针对性，定位更准确，治愈效果更佳，是非晶硅太阳电池生产及研发过程中重要的质量保障。