用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置

基本信息

申请号 CN201210189952.3 申请日 -
公开(公告)号 CN102677156A 公开(公告)日 2012-09-19
申请公布号 CN102677156A 申请公布日 2012-09-19
分类号 C30B15/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 曾泽斌 申请(专利权)人 北二变电气有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 张法高
地址 325600 浙江省温州市乐清市乐清经济开发区纬十六路211号(北二变电气有限公司内)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置。通过使用挡料球作为多晶硅的隔离装置,使用导料管作为注入多晶硅的通过闸板阀或翻板阀的导料装置,使用闸板阀或翻板阀作为隔离直拉硅单晶炉真空的装置,这些装置的尺度远大于块状多晶硅的粒度,使本发明的一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置能够向直拉硅单晶炉内加注粒度小于50mm的块状多晶硅和粒度小于5mm的颗粒多晶硅,解决了现有的多晶硅加料仓只能向直拉硅单晶炉内加注粒度小于5mm的颗粒多晶硅,不能加注块状多晶硅的难题。