一种间接分析高低硬度bump晶格表现的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111184095.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113921415A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113921415A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | H01L21/66（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴恒 | 申请（专利权）人 | 合肥新汇成微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 合肥辉达知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张丽园 |
| 地址 | 230000安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种间接分析高低硬度bump晶格表现的方法，所述间接分析高低硬度bump晶格表现的方法，包括以下步骤：S1：使用硬物质，采用同等克度的力量，按压金凸块表面；S2：对金凸块按压区域切片；S3：切片后的金凸块使用SEM电子显微镜观察；S4：观察金属晶格排序，其中软硬度金凸块晶格的排列相对于高硬度金凸块晶格排列更加发散。本发明提供的间接分析高低硬度bump晶格表现的方法具有使用该分析方法可以检验分析出金凸块软硬异常，结合金凸块制程工艺，可协助改善软硬金凸块问题。 |
