一种高压供电的PTAT基准电流源电路
基本信息
申请号 | CN202010837632.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111796623B | 公开(公告)日 | 2021-09-14 |
申请公布号 | CN111796623B | 申请公布日 | 2021-09-14 |
分类号 | G05F1/56 | 分类 | 控制;调节; |
发明人 | 石峰;连颖;任俊;黄亮 | 申请(专利权)人 | 北京新雷能科技股份有限公司 |
代理机构 | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 葛启函 |
地址 | 102200 北京市昌平区科技园区双营中路139号院1号楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种高压供电的PTAT基准电流源电路,包括电流吸收模块和PTAT基准电流产生模块,PTAT基准电流产生模块通过PNP型三极管钳位将温度信号转换成与绝对温度成正比的基准电流输出,采用LDMOS管替换传统结构中的普通MOS管,使得本发明能够适应高压供电;针对普通MOS替换成LDMOS管导致的由于管子寄生电容变大、输入电压的dv/dt噪声更容易串扰到第四NMOS管栅极而影响输出基准电流的问题,以及LDMOS管栅源电容更大导致开启速度更慢的问题,本发明还设计了LDMOS分压电流镜与电容噪声滤波结构,不仅能够承受高电压而且减轻了dv/dt噪声的影响,同时利用电流吸收模块抽取PTAT基准电流产生模块的电流,加快了基准电流建立稳定状态的速度。 |
