一种高压供电的PTAT基准电流源电路

基本信息

申请号 CN202010837632.9 申请日 -
公开(公告)号 CN111796623A 公开(公告)日 2020-10-20
申请公布号 CN111796623A 申请公布日 2020-10-20
分类号 G05F1/56(2006.01)I 分类 控制;调节;
发明人 石峰;连颖;任俊;黄亮 申请(专利权)人 北京新雷能科技股份有限公司
代理机构 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 代理人 北京新雷能科技股份有限公司
地址 102200北京市昌平区科技园区双营中路139号院1号楼
法律状态 -

摘要

摘要 一种高压供电的PTAT基准电流源电路,包括电流吸收模块和PTAT基准电流产生模块,PTAT基准电流产生模块通过PNP型三极管钳位将温度信号转换成与绝对温度成正比的基准电流输出,采用LDMOS管替换传统结构中的普通MOS管,使得本发明能够适应高压供电;针对普通MOS替换成LDMOS管导致的由于管子寄生电容变大、输入电压的dv/dt噪声更容易串扰到第四NMOS管栅极而影响输出基准电流的问题,以及LDMOS管栅源电容更大导致开启速度更慢的问题,本发明还设计了LDMOS分压电流镜与电容噪声滤波结构,不仅能够承受高电压而且减轻了dv/dt噪声的影响,同时利用电流吸收模块抽取PTAT基准电流产生模块的电流,加快了基准电流建立稳定状态的速度。