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一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺

基本信息

申请号 CN202110234526.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113121239A 公开（公告）日 2021-07-16
申请公布号 CN113121239A 申请公布日 2021-07-16
分类号 C04B35/565（2006.01）I;C04B35/626（2006.01）I;C04B35/64（2006.01）I 分类 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人 李懋强;王大为;李学超;杨景雷;侯涛 申请（专利权）人 山东君道高温材料有限公司
代理机构 北京科家知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 宫建华
地址 276000山东省临沂市罗庄区付庄街道办事处驻地
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，属于陶瓷技术领域，包括以下步骤：S1、选取碳化硅粉备用，S2、将选取的碳化硅粉搅拌混料、造粒烘干，S3、将碳化硅粉等静压制成型陶瓷，S4、对压制成型的陶瓷进行烧结，获得无压烧结碳化硅陶瓷。本发明，突破了传统烧结工艺，在无压条件下进行烧结，氩气氛烧结中，将99.9%的碳化硅微粉在2200C高温烧结，密度达到3.15g/cm，热导性能好，热导率达74W/m.k，努氏硬度2600kg/mm，烧结后的无压碳化硅材料具有超强的断裂韧性，又具有较高的断裂强度，0气孔率，密度3.15g/cm，耐磨耐腐蚀性能更好，最高工作温度1610C。