一种提高BV稳定性的SGT终端结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210030400.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114068331A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114068331A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I;H01L23/64（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李加洋;陶瑞龙;胡兴正;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人 | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞华腾知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 钱丽 |
| 地址 | 211800江苏省南京市浦口区浦滨大道88号科创广场3号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提高BV稳定性的SGT终端结构及其制备方法。该方法包括在所述栅氧化层的上侧淀积形成第二导电类型的多晶硅，然后对所述多晶硅进行刻蚀操作，对所述体区内以及栅氧化层上侧经过刻蚀保留的多晶硅的内端部执行第一导电类型元素注入和退火操作，以制作形成设置在有源区的体区内的第一阱区、设置在终端区的体区外端的第二阱区、以及设置在所述栅氧化层上侧的二极管和电阻，所述二极管的外端与电阻的内端连接。本发明通过在终端沟槽内增加偏置电压的方式，减小雪崩击穿时的氧化层界面空穴缺陷密度，从而有效改善BV walk‑in和walk‑out的问题，从而提高BV的稳定性，增加器件的可靠性。 |
