一种解决电阻非线性的智能功率MOS管的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210007421.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114023702A | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN114023702A | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何军;胡兴正;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人 | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞华腾知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐冲冲 |
| 地址 | 211800江苏省南京市浦口区浦滨大道88号科创广场3号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种解决电阻非线性的智能功率MOS管的制造方法。该方法包括在体区的上侧制作源区注入所需的第一光刻胶层，然后依次进行第一导电类型的元素注入和推阱操作，以在体区内制作形成第一导电类型的源区，同时对主MOS管多晶硅栅、启动MOS管多晶硅栅和电阻RDG2a进行掺杂，使得主MOS管多晶硅栅、启动MOS管多晶硅栅和电阻RDG2a变为第一导电类型掺杂。本发明通过Poly注入工艺的调整、修改NSD版图设计，并增加一张PSD版图设计的方式，使得RDG2a与RDG2b均为N型掺杂，因此RDG2a与RDG2b之间产生的非必要的PN消失，使得低电压下的电阻非线性问题得以解决。 |
