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一种抗电磁干扰超结MOS器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN202111365409.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113808951B 公开（公告）日 2022-02-11
申请公布号 CN113808951B 申请公布日 2022-02-11
分类号 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L23/552（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 许超;何军;胡兴正;薛璐;刘海波 申请（专利权）人 南京华瑞微集成电路有限公司
代理机构 南京瑞华腾知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 钱丽
地址 211800江苏省南京市浦口区浦滨大道88号科创广场3号楼5楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种抗电磁干扰超结MOS器件及其制造方法。该方法包括在有源区内的外延层的上侧长栅氧化层，并在栅氧化层和场氧层的上侧沉积多晶硅，对所述多晶硅掺入第二导电类型的杂质，然后对掺杂后的多晶硅进行刻蚀操作，以形成设置在栅氧化层上侧的多晶栅以及设置在场氧层上侧的多晶电阻、第一多晶场板和与所述第一多晶场板间隔设置的第二多晶场板，所述多晶电阻的一端与所述第一多晶场板连接，在第一多晶场板与第二多晶场板之间沉淀高K介质层，以使第一多晶场板、高K介质层和第二多晶场板配合形成电容结构。本发明多晶电阻的阻值和电容结构的容值可调范围大，有利于增强终端结构耐压稳定性，不影响Rsp和其他基础电性参数。