集成鳍式SBD结构的沟槽栅MOSFET及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111496378.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113921400A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113921400A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李加洋;吴磊;胡兴正;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人 | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞华腾知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 钱丽 |
| 地址 | 211800江苏省南京市浦口区浦滨大道88号科创广场3号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种集成鳍式SBD结构的沟槽栅MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层的上侧刻蚀形成外露于外延层上侧的SBD接触台，在SBD接触台两侧的外延层上侧淀积形成介质层，并在介质层上刻蚀形成金属淀积区；在第一阱区和第二阱区的上侧制作形成欧姆接触区，同时在SBD接触台的上侧及两侧制作形成SBD接触区，SBD接触区与SBD接触台配合形成鳍式SBD结构。本发通过SBD接触台与SBD接触区配合形成的鳍式SBD结构来提高器件的反向恢复速度，降低反向恢复时间Trr，并使SBD接触区由平面结构升级为三维立体结构，大辐增加接触面积，从而在Trr相同时，占用的芯片面积更小。 |
