一种半导体器件及其制作方法、高精度过温保护电路
基本信息
| 申请号 | CN202210419414.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114520144A | 公开（公告）日 | 2022-05-20 |
| 申请公布号 | CN114520144A | 申请公布日 | 2022-05-20 |
| 分类号 | H01L21/265（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何军;胡兴正;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人 | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞华腾知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 210000江苏省南京市浦口区浦滨大道88号科创广场3号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法、高精度过温保护电路。该方法包括在衬底的上侧制作外延层；通过Ring注入操作和Ring推阱操作将外延层划分出终端区、主MOS元胞区、二极管区以及设置在主MOS元胞区与二极管区之间的隔离区；对未被多晶硅阻挡的主MOS元胞区和二极管区依次进行第二导电类型元素的注入和退火操作，以在二极管区内制作出二极管的阳极，所述二极管的阳极与其下侧的外延层和衬底配合形成二极管结构。本发明可使过温保护监测精度更高，客户可根据自身需求进行定制化设计；可使过温保护灵敏度更高；过温保护监测电路的可靠性更优；集成度更高，成本更低，更适合轻型化、小型化发展方向。 |
