一种通过多晶硅条提高可靠性的MOS器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111400657.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114141859A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114141859A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡兴正;钱康;何军;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人 | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞华腾知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 钱丽 |
| 地址 | 211800江苏省南京市浦口区浦滨大道88号科创广场3号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种通过多晶硅条提高可靠性的MOS器件及其制造方法。该方法包括在有源区内的外延层上侧长栅氧化层，并在所述栅氧化层和场氧层的上侧沉积多晶硅，采用第二导电类型的杂质对所述多晶硅进行掺杂，然后对掺杂后的多晶硅进行刻蚀操作，以形成设置在栅氧化层上侧的多晶栅和多个间隔设置在场氧层上侧的多晶硅条。本发明通过在普通高压超结的终端区增加等距多晶硅条，几乎不增加制造成本且可以提高器件的高温工作寿命；提高芯片长时间处于高温、高压密闭空间内的抗腐蚀能力，增加器件的使用寿命和可靠性。 |
