一种超结和SGT新型复合MOSFET及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111496386.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113921401A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113921401A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛璐;陶瑞龙;李加洋;胡兴正;刘海波 | 申请（专利权）人 | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞华腾知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 钱丽 |
| 地址 | 211800江苏省南京市浦口区浦滨大道88号科创广场3号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种超结和SGT新型复合MOSFET及其制造方法。该方法包括在所述衬底的上侧制作外延层，所述外延层包括依次设置在衬底上侧的第一外延层和第二外延层，所述第一外延层的掺杂浓度大于第二外延层的掺杂浓度；在所述外延层上刻蚀形成若干第一沟槽，所述第一沟槽的下端设置在第一外延层内；在所述第二外延层的上侧及第一沟槽内生长第一氧化层；在所述第一沟槽下侧的第一外延层上刻蚀形成第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽内制作第二导电类型的硅柱。本发明可以通过调节硅柱的掺杂浓度实现电荷平衡，降低外延层的电阻率，使导通电阻减小，并减小晶圆的应力，增大了器件Coss，使器件抗EMI的能力增强。 |
