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一种钕铁硼永磁器件的处理方法

基本信息

申请号	CN202010161341.2	申请日	-
公开（公告）号	CN111334767A	公开（公告）日	2020-06-26
申请公布号	CN111334767A	申请公布日	2020-06-26
分类号	C23C14/35(2006.01)I	分类	-
发明人	段永利;孙昊天	申请（专利权）人	沈阳中北通磁科技股份有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	110168辽宁省沈阳市浑南区汇泉东路8号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种钕铁硼永磁器件的处理方法。将装有钕铁硼永磁器件的承载装置送入带有进料室和出料室的真空镀膜设备的镀膜室内，镀膜室内的辊道上方设置有溅射装置，溅射装置为3台以上，溅射装置至少包括离子源、多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶中的2种以上。多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶上包含靶材，靶材表面到在镀膜室内进行涂层的钕铁硼永磁器件表面的空间垂直距离在30‑200mm范围内，靶材的一部分从靶材表面溅射出来沉积到经过镀膜室内的承载装置上的钕铁硼永磁器件表面形成涂层，靶材至少为选自Tb、Dy、Nd、Pr、Y、Nb、Al、Ti、Zr、Ni、Cr中的一种以上。沉积在钕铁硼永磁器件表面形成涂层的靶材占靶材总消耗量的70%以上。