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两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线

基本信息

申请号 CN202011291234.8 申请日 -
公开（公告）号 CN114516658A 公开（公告）日 2022-05-20
申请公布号 CN114516658A 申请公布日 2022-05-20
分类号 C01G30/00（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分类 无机化学;
发明人 何颂贤;王巍;叶晨宝 申请（专利权）人 香港城市大学深圳研究院
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 518057广东省深圳市南山区高新区南区粤兴一道8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线。该方法包括：在双区固相源化学气相沉积系统的源区装载锑化镓、生长区装载催化剂基片；向源区和生长区中通入氢气，并分别加热至第一预设温度；源区的第一预设温度高出生长区的第一预设温度100～260℃；接着向源区和生长区中通入氨气，并分别加热至第二预设温度；源区的第二预设温度高出源区的第一预设温度20～150℃；源区的第二预设温度高出生长区的第二预设温度220～320℃；待源区和生长区达到各自第二预设温度后继续保温反应，然后冷却降温，于生长区得到稀氮化GaNSb纳米线。该方法合成稀氮化GaNSb纳米线具有大纵横比、高密度且表面光滑无岛状寄生。