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基于硅量子点薄膜的可饱和吸收器件及其在光纤脉冲激光器中的应用

基本信息

申请号 CN201610983861.5 申请日 -
公开（公告）号 CN106374332A 公开（公告）日 2017-02-01
申请公布号 CN106374332A 申请公布日 2017-02-01
分类号 H01S3/11(2006.01)I;H01S3/108(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 高延祥;姜喆 申请（专利权）人 南京诺派激光技术有限公司
代理机构 南京理工大学专利中心 代理人 南京诺派激光技术有限公司
地址 210000 江苏省南京市江宁经济开发区胜太路68号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于硅量子点薄膜的可饱和吸收器件及其在光纤脉冲激光器中的应用。将具有高三阶非线性系数的硅量子点制成薄膜或者掺杂到基质中形成复合薄膜，并将该薄膜置于具有特定模场参数的单模或者多模光纤之间，利用薄膜的自聚焦特性，该器件可对不同强度的输入光产生不同的透射率、并将该吸收器件应用于光纤脉冲激光器中，实现了调Q和锁模脉冲的方法。本发明的可饱和吸收器件具有很低的插入损耗、可调控的非线性吸收参数，工作波长可覆盖可见光‑近红外波段，可提高激光器的参数优化范围，从而实现具有优化性能的激光脉冲输出；可应用于光通信、光探测、生物医疗成像、测距和传感等领域。