闪存芯片可靠性等级预测方法、装置及存储介质专利查询专利号|摘要-满商公司网

闪存芯片可靠性等级预测方法、装置及存储介质

基本信息

申请号	CN202110066138.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112817525A	公开（公告）日	2021-05-18
申请公布号	CN112817525A	申请公布日	2021-05-18
分类号	G06F3/06;G11C29/56	分类	计算；推算；计数;
发明人	陈卓;张浩明;潘玉茜;刘政林	申请（专利权）人	置富科技（深圳）股份有限公司
代理机构	北京中强智尚知识产权代理有限公司	代理人	黄耀威
地址	518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道吉华路龙璧工业城13#2层
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种闪存芯片可靠性等级预测方法、装置及存储介质。其中方法包括：对待预测闪存芯片进行闪存操作，并在闪存操作过程中采集待预测闪存芯片的至少一种特征量；对待预测闪存芯片的至少一种特征量进行运算操作，得到待预测闪存芯片的特征运算值，依据待预测闪存芯片的特征量和待预测闪存芯片的特征运算值，建构待预测闪存芯片的数据集合；将待预测闪存芯片的数据集合中的第一子集输入到第一闪存可靠性等级预测模型的优化程序中，并对第一闪存可靠性等级预测模型进行参数调整，得到第二闪存可靠性等级预测模型；将待预测闪存芯片数据集合中的第二子集输入到第二闪存可靠性等级预测模型中，得到待预测闪存芯片的可靠性等级的第一预测结果。上述方法可以提高闪存芯片可靠性等级的预测准确度。