一种方硅芯铸锭炉热场结构及制备方法

基本信息

申请号 CN202011132224.X 申请日 -
公开(公告)号 CN112176407A 公开(公告)日 2021-01-05
申请公布号 CN112176407A 申请公布日 2021-01-05
分类号 C30B28/06;C30B29/06 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 徐永亮;李振;徐养毅;张国华 申请(专利权)人 苏州昀丰半导体装备有限公司
代理机构 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 代理人 徐鸣
地址 215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路沙洲湖科创园A1栋(昀丰)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种方硅芯铸锭炉热场结构及制备方法,主要以解决热场温度分布不均匀,生长出的晶体易开裂的问题。包括:炉体,所述炉体分为上炉体与下炉体;隔热层,所述隔热层设置在所述炉体中;立柱,所述立柱固定在所述下炉体上;热交换台,所述热交换台固定在所述立柱上;隔热板,所述隔热板设置在所述隔热层的底部,所述立柱穿过所述隔热板,所述隔热板能够在所述立柱上升降。本发明获得了热场稳定、利于晶体生长、能耗降低的优点。