一种III族氮化物薄膜的剥离转移方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种III族氮化物薄膜的剥离转移方法

基本信息

申请号	CN201610292147.1	申请日	-
公开（公告）号	CN107346725B	公开（公告）日	2021-03-12
申请公布号	CN107346725B	申请公布日	2021-03-12
分类号	H01L21/02(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	陈龙	申请（专利权）人	上海芯晨科技有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟
地址	201800上海市嘉定区平城路811号422室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种III族氮化物薄膜的剥离转移方法，包括以下步骤：S1：提供一自下而上依次包括硅衬底、绝缘埋层及顶层硅的SOI衬底；S2：在所述顶层硅表面依次形成III族氮化物薄膜及绝缘帽层；S3：进行离子注入，在所述顶层硅中形成离子注入层；S4：提供一基片，将所述基片键合于所述绝缘帽层表面，得到键合结构；S5：进行退火，使得所述键合结构自所述顶层硅处剥离，得到自下而上依次包括基片、绝缘帽层及III族氮化物薄膜的叠层结构。本发明的III族氮化物薄膜的剥离转移方法可实现大尺寸的III族氮化物薄膜转移，并可以得到光滑、高质量的III族氮化物薄膜表面。同时，本发明的III族氮化物薄膜的剥离转移方法可广泛应用于材料制备阶段。