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一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制作方法

基本信息

申请号	CN201610283432.7	申请日	-
公开（公告）号	CN107331663B	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN107331663B	申请公布日	2021-09-28
分类号	H01L27/04（2006.01）I;H01L21/70（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	陈龙	申请（专利权）人	上海芯晨科技有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟
地址	201800上海市嘉定区平城路811号422室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制作方法，所述III族氮化物和硅异质集成衬底包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的III族氮化物叠层结构；形成于所述III族氮化物叠层结构上的绝缘层；以及形成于所述绝缘层上的顶层硅。本发明的III族氮化物和硅异质集成衬底及其制作方法将所述顶层硅与所述III族氮化物叠层结构集成于同一硅衬底上，其中，所述硅基叠层结构可以用于制作传统电路，结合所述III族氮化物叠层结构可以实现多种应用，为实现“超越摩尔定律”提供重要的技术创新平台。本发明的III族氮化物和硅异质集成衬底中，III族氮化物材料深埋在底部，仅顶层硅及硅衬底面暴露在外面，不会对CMOS工艺造成污染，可以使用CMOS工艺线进行流片。