一种CMOS工艺兼容的环境光传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610274649.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107331673B | 公开（公告）日 | 2020-03-24 |
| 申请公布号 | CN107331673B | 申请公布日 | 2020-03-24 |
| 分类号 | H01L27/146 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李成 | 申请（专利权）人 | 上海芯晨科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余明伟 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定区平城路811号422室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS工艺兼容的环境光传感器及其制备方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成外延层；在所述外延层中进行掺杂，以形成光敏二极管；将光敏二极管分为相间分布的两组，在其中一组光敏二极管上形成金属层。本技术发明采用两颗或者两组硅光敏二极管，其中一组硅光敏二极管具有正常的响应，即在可见光和红外光都有响应；另外一组二极管通过特殊的设计，使其只响应红外光线，而可见光的响应要小很多。两组硅光敏二极管之间的这种差异，可通过后续信号处理电路提取出来，结合软件算法便可实现环境光的感测。本发明无需额外镀膜工艺，完全兼容各种尺寸类型的CMOS工艺，大大简化制备工艺，提到检测精度。 |
