一种集成光耦合器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201610274007.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107331726B | 公开（公告）日 | 2019-08-20 |
| 申请公布号 | CN107331726B | 申请公布日 | 2019-08-20 |
| 分类号 | H01L31/173;H01L31/153;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈龙 | 申请（专利权）人 | 上海芯晨科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余明伟 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定区平城路811号422室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种集成光耦合器件及其制作方法，所述集成光耦合器件包括：背衬底；形成于所述背衬底上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的顶层硅；所述顶层硅包括分立设置的第一硅岛及第二硅岛；形成于所述第一硅岛上的光发射器；形成于所述第二硅岛中的光接收器。本发明的集成光耦合器件及其制造方法可以实现光发射器与光接收器集成于同一绝缘衬底上，减少了器件在封装中的接合线，降低了噪声信号。同时，集成光耦合器件器件尺寸极小，甚至可用于芯片内电学隔离，也免去了封装的光学对准，提高了生产效率，降低了成本。 |
