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一种大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法

基本信息

申请号	CN201610293366.1	申请日	-
公开（公告）号	CN107346728A	公开（公告）日	2017-11-14
申请公布号	CN107346728A	申请公布日	2017-11-14
分类号	H01L21/205(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	陈龙	申请（专利权）人	上海芯晨科技有限公司
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	余明伟
地址	201800 上海市嘉定区平城路811号422室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，包括如下步骤：提供一硅衬底；将所述硅衬底放入反应腔体内，并使得所述硅衬底与水平面呈预设角度；所述预设角度大于0°；在所述硅衬底正反两面同时外延生长III族氮化物薄膜。本发明的大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法针对现有大尺寸硅衬底上GaN外延面临的巨大热膨胀系数失配的问题，提出一种内在应力平衡的双面外延的方法，可以实现任意大尺寸硅衬底上III族氮化物的高质量外延生长，无论在III族氮化物的外延过程还是降温过程，硅衬底能够始终保持平整，从而彻底解决了热失配及晶格失配引起的晶圆翘曲问题。而且，一次生长就可以获得两个面的材料，可以大幅提高生产效率。