一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制造方法

基本信息

申请号	CN201610283863.3	申请日	-
公开（公告）号	CN107342215B	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN107342215B	申请公布日	2021-09-28
分类号	H01L21/02（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	陈龙	申请（专利权）人	上海芯晨科技有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟
地址	201800上海市嘉定区平城路811号422室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制造方法，所述III族氮化物和硅异质集成衬底包括：硅衬底；形成于所述硅衬底第一预设区域表面的III族氮化物叠层结构；形成于所述硅衬底第二预设区域表面的硅基叠层结构；所述硅基叠层结构自下而上依次包括第一绝缘层、硅层、第二绝缘层；所述硅基叠层结构与所述III族氮化物叠层结构之间通过隔离结构隔离；覆盖于所述硅基叠层结构及所述III族氮化物叠层结构表面的盖帽层。本发明的III族氮化物和硅异质集成衬底及其制造方法将硅基叠层结构与所述III族氮化物叠层结构集成于同一硅衬底上，所得新型异质集成衬底与CMOS兼容，可以为实现“超越摩尔定律”产品提供重要的技术创新平台。