铝碳化硅热沉基板及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710091257.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106987836A | 公开（公告）日 | 2017-07-28 |
| 申请公布号 | CN106987836A | 申请公布日 | 2017-07-28 |
| 分类号 | C23C24/08(2006.01)I;C03C8/24(2006.01)I;C03C12/00(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 吴世清 | 申请（专利权）人 | 深圳市如器科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道雪象下雪村牛古岭8号一栋5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种铝碳化硅热沉基板及其制备方法，其采用低温玻璃粉和调油墨组配制浆料，再烧结于铝碳化硅衬底上，大幅度降低绝缘层的烧结温度至450‑550℃，制得的铝碳化硅热沉基板具有良好的层间结合力和绝缘性能，热膨胀系数低，厚膜绝缘层的耐热性良好。 |
