首页/ 北京镓族科技有限公司/ 专利详情

蓝宝石斜切衬底优化氧化镓薄膜生长及日盲紫外探测器性能的方法

基本信息

申请号 CN201910204193.5 申请日 -
公开（公告）号 CN110061089B 公开（公告）日 2022-06-07
申请公布号 CN110061089B 申请公布日 2022-06-07
分类号 H01L31/101（2006.01）I;H01L31/0392（2006.01）I;H01L31/032（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 夏恒;谷雪 申请（专利权）人 北京镓族科技有限公司
代理机构 北京清诚知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 101300 北京市顺义区顺强路1号1幢1层102室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种蓝宝石衬底表面斜切氧化镓探测器及其制造方法，以及氧化镓薄膜的制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极，其中氧化镓薄膜为β‑Ga2O3薄膜，衬底为Al2O3衬底。通过对Al2O3衬底进行不同角度斜切处理，能够增强光电探测器的性能。本发明的工艺可控性强、容易操作。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且复性好。本发明制得的光电探测器响应度高、暗电流小、紫外可见抑制比高、制造工艺简单，且所用材料容易获得。