一种氧化镓晶片CMP后的清洗方法
基本信息
| 申请号 | CN202010997736.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112474550A | 公开（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申请公布号 | CN112474550A | 申请公布日 | 2021-03-12 |
| 分类号 | B08B3/08;B08B3/12;B08B13/00;H01L21/02;C11D7/08;C11D7/04;C11D7/60 | 分类 | 清洁; |
| 发明人 | 陈政委;赵德刚;范钦明 | 申请（专利权）人 | 北京镓族科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京维正专利代理有限公司 | 代理人 | 侯巍巍 |
| 地址 | 101300 北京市顺义区顺强路1号1幢1层102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种氧化镓晶片CMP后的清洗方法。其方法为：S1、用包含硫酸、双氧水和去离子水的清洗液Ⅰ清洗CMP后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S2、用包含氨水、双氧水和去离子水的清洗液Ⅱ清洗S1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S3、用包含氢氟酸和去离子水的清洗液Ⅲ清洗S2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S4、用包含盐酸、双氧水和去离子水的清洗液Ⅳ清洗S3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S5、在超声功率为150‑300w的环境下超声清洗S4清洗后的氧化镓晶片。 |
