一种Si基氧化镓薄膜背栅极日盲紫外光晶体管及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种Si基氧化镓薄膜背栅极日盲紫外光晶体管及其制备方法

基本信息

申请号	CN201810166644.6	申请日	-
公开（公告）号	CN108470675B	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN108470675B	申请公布日	2021-09-28
分类号	H01L21/02（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L31/032（2006.01）I;H01L31/113（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	唐为华;崔尉;彭阳科;陈政委;郭道友;吴真平	申请（专利权）人	北京镓族科技有限公司
代理机构	北京清诚知识产权代理有限公司	代理人	乔东峰
地址	100088 北京市海淀区罗庄西里碧兴园1号楼2707室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种Si基氧化镓薄膜背栅极日盲紫外光晶体管及其制备方法，属于光电探测器及半导体晶体管技术领域。本发明提供的所述的晶体管按层次从下到上依次为：背栅极电极层、衬底层、光敏层和叉指电极层；衬底层使用p‑Si/SiO2,在p‑Si/SiO2衬底的SiO2层上制备生长氧化镓薄膜作为光敏层；在氧化镓薄膜上溅射Au/Ti电极得到叉指电极；再在p‑Si/SiO2背面的Si层上溅射上金属Au薄膜作为背栅极电极。本发明制备过程简单，易于跟硅基器件集成；本发明的制备方法工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好且易于集成。所制备的器件结构可在栅压的调控作用下获得高的日盲紫外光电流增益。