立方尖晶石结构CuGa2O4薄膜的制备方法及相应的结构
基本信息
| 申请号 | CN201910393812.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109943821B | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN109943821B | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 郭道友;吴超;贺晨冉;王顺利;李培刚;唐为华 | 申请（专利权）人 | 北京镓族科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 乔东峰 |
| 地址 | 100088 北京市海淀区罗庄西里碧兴园1号楼2707室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种立方尖晶石结构CuGa2O4薄膜的制备方法及相应的薄膜结构，所述方法包括：通过磁控溅射法在衬底上生长掺铜的氧化镓薄膜；将所述掺铜的氧化镓薄膜进行退火，生成立方尖晶石结构CuGa2O4薄膜。所述掺铜的氧化镓薄膜中的Cu和Ga的原子比优选为在0.09～0.18范围内。退火的温度控制在750℃～950℃之间。本发明所制备的立方尖晶石结构CuGa2O4薄膜表面分布均匀，薄膜厚度可控，且制备方法操作简单，工艺可控性强，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。 |
