一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811096587.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109411328B | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN109411328B | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | H01L21/02;C30B23/02;C30B29/16 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄元琪 | 申请（专利权）人 | 北京镓族科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王文君;王文红 |
| 地址 | 100086 北京市海淀区中关村911楼512号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法，使用铁掺杂的氧化镓陶瓷靶材，通过激光分子束外延方法，在衬底温度为425～575℃的生长条件下，制备氧化镓薄膜。本发明还提出所述氧化镓薄膜制备方法制备得到的薄膜。本发明的有益效果在于：通过掺杂铁元素，解决了使用激光分子束外延技术在低温下制备的β‑Ga2O3薄膜不易结晶的问题。通过铁元素掺杂，可以有效提高氧化镓薄膜的绝缘性，以用作氧化镓基场效应晶体管中的栅层结构，提高与沟道层结构的晶格匹配度，减少位错及界面效应，提高器件的性能。本薄膜制备技术，操作步骤简单、成本低廉，靶材可重复性利用率高，制备的薄膜表面均匀、成膜致密、结晶性好。 |
