一种基于SrO阻变存储器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810993822.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109273597A | 公开（公告）日 | 2019-01-25 |
| 申请公布号 | CN109273597A | 申请公布日 | 2019-01-25 |
| 分类号 | H01L45/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谭婷婷;杜怡行;曹爱;查钢强;陈勇 | 申请（专利权）人 | 陕西翱翔辐射探测科技有限公司 |
| 代理机构 | 西北工业大学专利中心 | 代理人 | 刘新琼 |
| 地址 | 710072 陕西省西安市友谊西路127号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种阻变存储器及其制备方法，属于信息存储器件技术领域。该阻变存储器金属‑绝缘体‑金属(MIM)三明治结构，该MIM结构的顶电极与底电极分别为金属电极，金属电极之间的阻变介质为非晶氧化锶薄膜。本发明采用氧化锶薄膜作为阻变材料，可制备出低功耗、高存储窗口和稳定性较好的阻变存储器，从而具有多值存储和高密度存储的潜力。 |
