一种硒化锑薄膜太阳能电池及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910771412.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110534591A | 公开（公告）日 | 2019-12-03 |
| 申请公布号 | CN110534591A | 申请公布日 | 2019-12-03 |
| 分类号 | H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谭婷婷;张华;孙娅玲;查钢强;胡瑞琪;孟庆岱;陶润民 | 申请（专利权）人 | 陕西翱翔辐射探测科技有限公司 |
| 代理机构 | 西北工业大学专利中心 | 代理人 | 西北工业大学 |
| 地址 | 710072 陕西省西安市友谊西路127号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳能电池及制备方法，包括从上至下依次排列的电极、硒化锑吸光层、N型缓冲层、透明导电金属氧化物层、玻璃基底；其中N型缓冲层为ZnO薄膜。制备方法采用磁控溅射法沉积ZnO薄膜，近空间升华法沉积Sb2Se3薄膜，并进行热处理，利于减少界面处的缺陷，实现光生载流子的分离，并减少了太阳能电池中有毒元素的使用，利于提高光电转换效率，其制备工艺简单，适于工业化生产与应用。有益效果是：该方法实现了无毒N型缓冲层的制备与硒化锑层的大规模生产，具有广阔的光伏应用前景。 |
