半导体高密度引线框架及其制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110325931.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113113321A | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN113113321A | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | H01L21/48（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;C25D3/28（2006.01）I;C25D5/34（2006.01）I;C25F1/04（2006.01）I;C23C22/52（2006.01）I;C23C22/82（2006.01）I;C23F1/02（2006.01）I;B05D3/02（2006.01）I;B05D7/14（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周武;刘波 | 申请（专利权）人 | 昆山弗莱吉电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京国坤专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵红霞 |
| 地址 | 215000江苏省昆山市玉山镇锦淞路399号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体高密度引线框架及其制造工艺，其中包括预处理、电镀、棕化、滚压、光刻等步骤，制备得到高密度、高精度的半导体引线框架，在制备时本申请首先对铜基板进行表面处理，先将铜基板置于电解液中进行阴极电解除油，以去除铜基板表面油污，保证铜基板表面清洁；接着再置于酸溶液中，该步骤是为了彻底去除铜基板表面的氧化膜；接着对铜基板进行表面活化，保持铜基板的表面活性，使得铜基板与后续镀层之间能够良好结合，得到预处理铜基板。本申请光刻后在铜基板表面形成光刻图案，实际操作时可再进行后续电镀金属层、芯片键合等工艺，制备得到的引线框架的表面无刮花、凹痕和污渍，可广泛应用于芯片封装等方向。 |
