金微纳米阵列及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810521401.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108754465B | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN108754465B | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | C23C18/44;B82Y30/00;B82Y40/00 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张翊 | 申请（专利权）人 | 深圳市中科先见医疗科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京律和信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 武玉琴;冷文燕 |
| 地址 | 518116 广东省深圳市龙岗区龙城街道青春路启迪协信科技园产业促进中心3楼301-10 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种金微纳米阵列制备方法，所述微纳阵列的表面设置有金微纳米结构修饰层。该微纳阵列以金微纳米结构为表面修饰层，修饰层与基底的结合力强，不容易脱落导致电极失效，并且修饰后的基质表面积极大地增加，其化学活性显著增加，其在催化、光学以及电学方面显著提高，使其在微电子、新能源、化工等领域具有广阔的应用前景。所述方法包括：提供或制备化学沉积溶液，所述化学沉积溶液中含有金盐溶液和弱还原剂；和将基质置于所述化学沉积溶液中，在基质表面形成金微纳米阵列。 |
