一种碳硅陶瓷靶材的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010234099.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111320478B | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN111320478B | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | C04B35/575（2006.01）I;C04B35/573（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I;C04B35/645（2006.01）I;C04B35/65（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 白雪;刘宇阳;王星奇;杨磊;桂涛;王星明;储茂友;韩沧 | 申请（专利权）人 | 有研资源环境技术研究院（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘秀青 |
| 地址 | 101407北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：（1）根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％‑15at％；（2）将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；（3）在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；（4）将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；（5）冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/‑1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。 |
