一种GaN基HEMT器件及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202210148255.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114664938A | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN114664938A | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L29/45（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 袁旭;于国浩;赵德胜;张宝顺 | 申请（专利权）人 | 广东中科半导体微纳制造技术研究院 |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 528216广东省佛山市南海区狮山镇科教路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制备方法和应用。本发明所述制备方法通过在GaN材料中注入n型离子并结合激活保护层进行高温激活，形成了高质量低电阻的欧姆接触，实现了低温欧姆制备工艺。同时，本发明所述金属的退火温度低，满足场板的制作工艺，进而可以通过一次金属淀积形成源极、漏极和漏场板，克服了现有GaN基HEMT器件欧姆接触电阻较大以及工艺复杂的缺陷/不足，具有广泛的应用前景。 |
