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AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN202210184601.7 申请日 -
公开（公告）号 CN114566574A 公开（公告）日 2022-05-31
申请公布号 CN114566574A 申请公布日 2022-05-31
分类号 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 刘锐森;孙钱;黄应南;杨勇 申请（专利权）人 广东中科半导体微纳制造技术研究院
代理机构 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 528000广东省佛山市南海区狮山镇科教路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法。所述AlGaN基紫外LED外延结构包括沿一指定方向依次设置的N型AlbGa1‑bN层、多量子阱有源区、P型AlcGa1‑cN电子阻挡层和P型GaN接触层；所述多量子阱有源区包括交替生长的多个AlxGa1‑xN量子阱层和多个AlyGa1‑yN量子垒层，其中在所述指定方向上的最后一个AlxGa1‑xN量子阱层掺杂有Si，其中0＜（x、y）≤1。较之现有技术，本申请AlGaN基紫外LED外延结构的光输出功率有显著提升。