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一种P重掺型硅片喷砂前预处理方法

基本信息

申请号 CN201911081149.6 申请日 -
公开（公告）号 CN110957207A 公开（公告）日 2020-04-03
申请公布号 CN110957207A 申请公布日 2020-04-03
分类号 H01L21/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王建华;贺贤汉;丁晓健;吴边 申请（专利权）人 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
代理机构 上海申浩律师事务所 代理人 上海申和热磁电子有限公司
地址 200444上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种P重掺型硅片喷砂前预处理方法，包括A混酸腐蚀：将P重掺型硅片置于含有HF以及HNO3的药液槽中，在40～50℃条件下进行酸性蚀刻40～80s，而后用去离子水清洗干净；B碱洗：将经过步骤A处理后的硅片安装在碱洗槽中的凸轮机构上，转速为60～80RPM；该碱洗槽中盛装有体积分数为5～10％的强碱溶液，清洗温度为40～60℃，清洗时间为3～9min。本发明通过在硅片背面喷砂处理前增加强碱洗步骤，在后面的喷砂处理工序中有效避免了印记残留的产生，通过实际生产验证，生产报废率降低至零。