一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910922971.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110676155A | 公开（公告）日 | 2020-01-10 |
| 申请公布号 | CN110676155A | 申请公布日 | 2020-01-10 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）; H01L21/66（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李厚; 贺贤汉; 尚散散 | 申请（专利权）人 | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申浩律师事务所 | 代理人 | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 地址 | 200444 上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，采用荧光灯作为灯源，所使用的荧光灯灯源有一定的透射力，与人眼呈45‑60度下的反射光源，可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷，从而防止漏检的发生，为客户提供更高质量的抛光硅片；由于荧光灯源为冷色调灯源，所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害；在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作，简单培训，即可上岗检测；可谓简单、安全、有效。 |
