一种高压快软恢复二极管专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种高压快软恢复二极管

基本信息

申请号	CN201920759144.3	申请日	-
公开（公告）号	CN210325810U	公开（公告）日	2020-04-14
申请公布号	CN210325810U	申请公布日	2020-04-14
分类号	H01L29/861(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	张桥;颜家圣;周霖;黄智;刘鹏;肖彦;刘磊;吕晨襄	申请（专利权）人	湖北台基半导体股份有限公司
代理机构	襄阳嘉琛知识产权事务所	代理人	湖北台基半导体股份有限公司
地址	441021湖北省襄阳市襄城区胜利街162号
法律状态	-

摘要

本实用新型名称为一种高压快软恢复二极管。属于高压半导体二极管设计和制造技术领域。它主要是解决现有高压二极管不能满足高压4000V以上高压半导体器件反向续流要求的问题。它的主要特征是：所述半导体晶片由阳极P+块或阳极P+区、阳极P区、长基区N、阴极N+环、阴极P+块和阴极N+块组成；所述阳极P+块或阳极P+区分布在阳极P区表面，阳极P+块或阳极P+区与阳极P+块或阳极P+区之间的阳极P区构成阳极区；所述阴极N+块在长基区N表面间隔分布，阴极P+块位于阴极N+块之间，阴极P+块与阴极N+块之间由长基区N隔离。本实用新型具有更高的反向阻断电压、更短的反向恢复时间和改善二极管软度因子的特点，主要应用于IGBT、IGCT、IEGT等器件的反向续流。