一种钨溅射靶材坯料的制备方法及应用
基本信息
| 申请号 | CN202110276934.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113073295A | 公开（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申请公布号 | CN113073295A | 申请公布日 | 2021-07-06 |
| 分类号 | C23C14/34（2006.01）I;B23P15/00（2006.01）I;C21D1/26（2006.01）I;C21D8/02（2006.01）I;C22F1/18（2006.01）I;C23C16/14（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 谭成文;于晓东;李迅;刘丽君;张清;聂志华 | 申请（专利权）人 | 海朴精密材料（苏州）有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李梦楠 |
| 地址 | 215212江苏省苏州市吴江区黎里镇南新街118号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种钨溅射靶材坯料的制备方法及应用，所述方法包括：对钨板坯进行交叉轧制使柱状晶破碎、然后进行再结晶退火使晶粒等轴化，其中，所述钨板坯通过化学气相沉积法制得，其纯度≥6N。本发明方法制备的钨溅射靶材坯料的纯度、致密度等性能指标理想，且作为集成电路制造的原料进行真空溅射成膜时，溅射速率稳定，薄膜均匀一致，降低薄膜电阻率，提高成品良率，同时，该方法可操作性强，具有广泛的应用前景。 |
